Инжектор импульсного электрического поля ICI E450 L-EFT компании EMV-Langer позволяет вводить наносекундные импульсные поля на открытый кристалл (open die) микросхемы. Это дает возможность проводить анализ побочных каналов или тестировать помехоустойчивость отдельных областей интегральных микросхем.
Технические характеристики
Размер головки
Ø 450 мкм
Макс. ток смещения (полоса 100 мкм)
7 мА
Импульсные характеристики:
время нарастания
< 2 нс
частота повторения
0,1 Гц — 20 КГц
полярность (выставляется программно)
+ / - / переменная
Выходное сопротивление
50 Ом
Задержка пускового импульса
(в режиме задержки):
мин. задержка пускового импульса (тип.)
70 нс
макс. задержка пускового импульса (тип.)
420 нс
макс. джиттер
± 1 нс
Напряжение питания
12 В / 1 A DC (BPS 202)
Вес
70 г
Размеры (Д х Ш х В)
26×43×53 мм
Форма импульса
Поперечный график
Запросить в один клик
Заказать звонок
Запрос оборудования на тестирование
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.