Тестер полупроводниковых компонентов
Тестер Детерминал-ЗП представляет собой комплекс из нескольких измерительных приборов и современного программного обеспечения и предназначен для организации входного и выходного контроля дискретных полупроводниковых компонентов, таких как транзисторы, диоды, варисторы, варикапы и т.п.
В зависимости от выполняемых целей в состав комплекса могут входить источники-измерители Б6-8 и Б6-9, LC-метр Е7-35, (все эти приборы внесены в госреестр СИ). Также поставляется специализированная оснастка, которая позволяет организовать входной и выходной контроль продукции с минимальными временными затратами.
Упрощённый режим отображения в управляющем ПО позволяет свести к минимуму требования по квалификации к персоналу, который выполняет сортировку ЭКБ.
Имеется возможность интеграции комплекса с вакуумными термоэлектрическими платформами Альфа, Бета и Гамма, что позволяет реализовать исследование температурных характеристик полупроводников в диапазоне от -60 С° до +125 С°. Такая конфигурация позволит использовать данный комплекс для подробного анализа зависимости утечки тока компонентов от температуры в автоматическом режиме и других подобных задач.
Особенности
- Профессиональные метрологически обеспеченные приборы нашей разработки, входящие в состав комплекса, обеспечивают его надежную и стабильную работу, а также достоверность параметров;
- Поддержка большинства операционных систем (Windows, Astra Linux, Alt Linux и т.п.);
- Интуитивно простая система разработки программ испытаний: еще никогда тест полупроводниковых приборов не был так прост!
Технические характеристики
Измеряемые параметры полупроводниковой ЭКБ
Полевые транзисторы (N-канальные, P-канальные):
- Idss (ток утечки сток-исток)
- Igss (ток утечки затвор-исток в прямом и обратном направлениях)
- Rds on (сопротивление открытого канала)
- Vgs (пороговое напряжение включения транзистора)
- Ciss (Входная ёмкость)
- Coss (Выходная ёмкость)
- Qg (заряд затвора для открытия транзистора)
- Qgs (заряд затвор-исток)
- Qgd (заряд затвор-сток)
Биполярные транзисторы (PNP, NPN):
- Idss (ток утечки сток-исток)
- Igss (ток утечки затвор-исток в прямом и обратном направлениях)
- Rds on (сопротивление открытого канала)
- Vgs (пороговое напряжение включения транзистора)
- Ciss (Входная ёмкость)
- Coss (Выходная ёмкость)
- Qg (заряд затвора для открытия транзистора)
- Qgs (заряд затвор-исток)
- Qgd (заряд затвор-сток)
Диоды:
- Vrrm (максимальное обратное напряжение)
- Io (предельный ток)
- Vf (прямое падение напряжения)
- Ir (ток утечки)
Cj (ёмкость в прямом включении)
Печать/PDF