Предусилитель PA 306 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.
Предусилитель PA 303 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 303 BNC), SMA-разъемом (PA 303 SMA) или N‑разъемом (PA 303 N).
Предусилитель PA 203 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 203 BNC) или SMA-разъемом (PA 203 SMA).
Предусилитель PA 3010 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.
S603 / S750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех на сигнальных дорожках и контактах Vdd / Vss микросхемы во время ее функционирования.
P1602 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 3 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.
P1601 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 1 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.
P1401 / P1501 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к излучаемым электрическим и магнитным полям от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства наводить на микросхему во время ее функционирования электромагнитные поля, определяя уровень устойчивости к ним. Для проведения испытаний с помощью данного набора необходимы генератор сигналов и усилитель мощности.
P1202-4/P1302-4 set — набор для проверки интегральных микросхем на устойчивость к наносекундным импульсным помехам на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. В набор входят источники электрических и магнитных полей, излучающие помехи на интегральные микросхемы. Инженер-разработчик может использовать этот набор непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства проверять его помехоустойчивость к электрически быстрым переходным процессам (пачкам) по ГОСТ IEC
P1202-2 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ
P603-1 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех от каждой ножки микросхемы во время ее функционирования.
P603 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех от каждой ножки микросхемы во время ее функционирования.
P600 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех на сигнальных дорожках и контактах Vdd / Vss микросхемы во время ее функционирования.
P503 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.
P501 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.
P500 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.
P331-2 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ
P331
P250 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к импульсным помехам от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандартам ГОСТ 30804.4.4 «Устойчивость к наносекундным импульсным помехам» и МЭК
P202/P302
ICE1 set— комплект для измерений ЭМС-характеристик интегральных микросхем (ИС) во время предварительных испытаний на устойчивость к излучаемым и кондуктивным помехам на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, локализовывать и дифференцировать неустойчивые области и компоненты микросхемы во время ее функционирования.