Фильтр
Полуавтоматическая зондовая станция серии SF-C обеспечивает точные измерения электрических характеристик бескорпускного изделия, высокоскоростную разбраковку и маркировку кристаллов на пластине.
Многофункциональная модульная ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-, термоизмерений (-65 до +300˚C) и разбраковки кристаллов. Максимальный диаметр пластин 300 мм, количество микропозиционеров до 12 шт.
Многофункциональная модульная ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-, термоизмерений (-65 до +300˚C) и разбраковки кристаллов. Максимальный диаметр пластин 300 мм, количество микропозиционеров до 12 шт.
Ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-, термоизмерений (-65 до +300˚C) и разбраковки кристаллов. Максимальный диаметр пластин 150 мм, количество микропозиционеров до 6 шт.
Многофункциональная модульная ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-, термоизмерений (-65 до +300˚C) и разбраковки кристаллов. Максимальный диаметр пластин 150 мм, количество микропозиционеров до 6 шт.
Многофункциональная модульная ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-измерений и разбраковки кристаллов, оптимизированная для точной интеграции с преобразователями частоты VDI, OML, Keysight и R&S. Имеет возможность северного и южного расположения дополнительных зондов. Оснащена встроенной шкалой для измерения следов контакта зондов.
Многофункциональная модульная ручная зондовая станция с возможностью проведения DC-, СВЧ-измерений и разбраковки кристаллов, оптимизированная для точной интеграции с преобразователями частоты Anritsu. Оснащена интегрированным радиатором для охлаждения зондов и преобразователей частоты. Совместима с
Зондовые станции (Probe Stations)
Probe Station
Зондовые станции предназначены для выполнения высокоточных измерений импульсных, постоянных, высокочастотных воспроизводимых сигналов и сигналов. Probe Stations используются при моделировании и выполнении измерений характеристик устройства, для получения готовых характеристик и оценки надежности полупроводниковых кристаллов на подложке, для выявления дефектов цифровых информационных систем, для измерения сигналов и тренировки полупроводниковых схем, для испытаний на термическую стойкость, надежность, для проверки устойчивости работы в кратковременных и продолжительных режимах.