Фильтр
Предусилитель PA 2522 до 22 ГГц
Предусилитель PA 2522 предназначен для усиления слабых сигналов измерения, например, от пробников ближнего поля. Отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.
Характеристики
Детектор импульсов магнитного поля BD 11
Характеристики
Мини-генератор импульсного поля (E) P23 set
Характеристики
Комплект демонстрационных плат DB 20 set
Характеристики
Предусилитель PA 306 до 6 ГГц

Предусилитель PA 306 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.

Характеристики
Предусилитель PA 303 до 3 ГГц

Предусилитель PA 303 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 303 BNC), SMA-разъемом (PA 303 SMA) или N‑разъемом (PA 303 N).

Характеристики
Предусилитель PA 203 до 3 ГГц

Предусилитель PA 203 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 203 BNC) или SMA-разъемом (PA 203 SMA).

Характеристики
Пассивный датчик магнитного поля SX-R 20-1
Характеристики
Предусилитель PA 3010 до 10 ГГц

Предусилитель PA 3010 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.

Характеристики
Пассивный датчик ближнего поля HR-E 40-1
Характеристики
Набор аналого-оптического конвертера для автомобильных последовательных шин данных OB 100 Set
Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем P1402 / P1502 set
Характеристики
Инжектор импульсов тока ICI I900 L-EFT
Характеристики
Инжектор импульсного магнитного поля ICI HH500-15 L-EFT
Характеристики
Инжектор импульсного электрического поля ICI E450 L-EFT
Характеристики
Набор инжекторов для ввода кратковременных импульсов (НИП) ICI 03 L-EFT
Характеристики
Набор инжекторов кратковременных импульсов (НИП) ICI 01 L-EFT
Характеристики
Сканер микросхем FLS 106 IC
Характеристики
Набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем S603 / S750 set

S603 / S750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех на сигнальных дорожках и контактах Vdd / Vss микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем P1602 /P1702 set

P1602 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 3 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем P1601 /P1702 set

P1601 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 1 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к излучаемым электрическим и магнитным полям P1401 / P1501 set

P1401 / P1501 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к излучаемым электрическим и магнитным полям от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства наводить на микросхему во время ее функционирования электромагнитные поля, определяя уровень устойчивости к ним. Для проведения испытаний с помощью данного набора необходимы генератор сигналов и усилитель мощности.

Характеристики
Набор для проверки интегральных микросхем на устойчивость к наносекундным импульсным помехам P1202-4/P1302-4 set

P1202-4/P1302-4 set — набор для проверки интегральных микросхем на устойчивость к наносекундным импульсным помехам на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. В набор входят источники электрических и магнитных полей, излучающие помехи на интегральные микросхемы. Инженер-разработчик может использовать этот набор непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства проверять его помехоустойчивость к электрически быстрым переходным процессам (пачкам) по ГОСТ IEC 61000-4-4-2016.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) P1202-2 set

P1202-2 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ 30804.4.2-2013 («Устойчивость к электростатическим разрядам») контактным разрядом связью по магнитному полю. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования электростатический разряд, определяя уровень устойчивости к нему.

Характеристики