Фильтр
Предусилитель PA 2522 до 22 ГГц
Предусилитель PA 2522 предназначен для усиления слабых сигналов измерения, например, от пробников ближнего поля. Отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.
Характеристики
Детектор импульсов магнитного поля BD 11
Характеристики
Мини-генератор импульсного поля (E) P23 set
Характеристики
Комплект демонстрационных плат DB 20 set
Характеристики
Предусилитель PA 306 до 6 ГГц

Предусилитель PA 306 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.

Характеристики
Предусилитель PA 303 до 3 ГГц

Предусилитель PA 303 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 303 BNC), SMA-разъемом (PA 303 SMA) или N‑разъемом (PA 303 N).

Характеристики
Предусилитель PA 203 до 3 ГГц

Предусилитель PA 203 используется для усиления слабых сигналов измерения от датчиков ближнего поля. Вход и выход предусилителя реализованы 50‑Омным BNC-разъемом (PA 203 BNC) или SMA-разъемом (PA 203 SMA).

Характеристики
Пассивный датчик магнитного поля SX-R 20-1
Характеристики
Предусилитель PA 3010 до 10 ГГц

Предусилитель PA 3010 используется для усиления слабых сигналов измерения, например, от датчиков ближнего поля. Он отличается низким уровнем шума и постоянно высоким динамическим диапазоном в широком диапазоне частот.

Характеристики
Пассивный датчик ближнего поля HR-E 40-1
Характеристики
Набор аналого-оптического конвертера для автомобильных последовательных шин данных OB 100 Set
Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем P1402 / P1502 set
Характеристики
Инжектор импульсов тока ICI I900 L-EFT
Характеристики
Инжектор импульсного магнитного поля ICI HH500-15 L-EFT
Характеристики
Инжектор импульсного электрического поля ICI E450 L-EFT
Характеристики
Набор инжекторов для ввода кратковременных импульсов (НИП) ICI 03 L-EFT
Характеристики
Набор инжекторов кратковременных импульсов (НИП) ICI 01 L-EFT
Характеристики
Сканер микросхем FLS 106 IC
Характеристики
Набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем S603 / S750 set

S603 / S750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех на сигнальных дорожках и контактах Vdd / Vss микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем P1602 /P1702 set

P1602 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 3 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем P1601 /P1702 set

P1601 /P1702 set — набор для измерения излучаемых электромагнитных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать тип и уровень излучения помех в диапазоне частот до 1 ГГЦ в ближнем поле от микросхемы во время ее функционирования. Программное обеспечение ChipScan-ESA проводит расчет и анализ полученных результатов и отображает их в виде графиков и таблиц.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к излучаемым электрическим и магнитным полям P1401 / P1501 set

P1401 / P1501 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к излучаемым электрическим и магнитным полям от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства наводить на микросхему во время ее функционирования электромагнитные поля, определяя уровень устойчивости к ним. Для проведения испытаний с помощью данного набора необходимы генератор сигналов и усилитель мощности.

Характеристики
Набор для проверки интегральных микросхем на устойчивость к наносекундным импульсным помехам P1202-4/P1302-4 set

P1202-4/P1302-4 set — набор для проверки интегральных микросхем на устойчивость к наносекундным импульсным помехам на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. В набор входят источники электрических и магнитных полей, излучающие помехи на интегральные микросхемы. Инженер-разработчик может использовать этот набор непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства проверять его помехоустойчивость к электрически быстрым переходным процессам (пачкам) по ГОСТ IEC 61000-4-4-2016.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) P1202-2 set

P1202-2 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ 30804.4.2-2013 («Устойчивость к электростатическим разрядам») контактным разрядом связью по магнитному полю. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования электростатический разряд, определяя уровень устойчивости к нему.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем P603-1 / P750 set

P603-1 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех от каждой ножки микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем P603 / P750 set

P603 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех от каждой ножки микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем P600 / P750 set

P600 / P750 set — набор для измерения излучаемых кондуктивных помех от интегральных микросхем на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, учитывать уровень наводимых кондуктивных помех на сигнальных дорожках и контактах Vdd / Vss микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам P503 set

P503 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.

Характеристики
Набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам P501 set

P501 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.

Характеристики
Набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам P500 set

P500 set — набор для определения устойчивости интегральных микросхем (ИС) к кондуктивным помехам, когда электромагнитная мощность высокой частоты инжектируется в конкретный вывод ИС, от компании Langer EMV-Technik.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) P331-2 set

P331-2 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ 30804.4.2-2013 («Устойчивость к электростатическим разрядам») контактным разрядом либо с использованием модели тела человека. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования электростатический разряд, определяя уровень устойчивости к нему.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) P331 L-ESD set

P331 L-ESD set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к электростатическому разряду (ЭСР) от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандарту ГОСТ 30804.4.2-2013 («Устойчивость к электростатическим разрядам») контактным разрядом, однако параметры импульса ЭСР 0,2/5 нс. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования электростатический разряд, определяя уровень устойчивости к нему.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к импульсным помехам P250 set

P250 set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к импульсным помехам от компании Langer EMV-Technik. Испытания проводятся согласно стандартам ГОСТ 30804.4.4 «Устойчивость к наносекундным импульсным помехам» и МЭК 62215-3 «Несинхронный быстрый метод введения импульсных помех». Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования кондуктивные помехи, определяя уровень устойчивости к ним. Наличие модулей конденсаторов различной емкости позволяет регулировать параметры испытательных импульсов.

Характеристики
Набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к помехам P202/P302 L-EFT set

P202/P302 L-EFT set — набор для проверки на устойчивость интегральных микросхем к помехам, вызванным электростатическими разрядами и наносекундными импульсными помехами от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, наводить на отдельные ножки микросхемы во время ее функционирования кондуктивные помехи, определяя уровень устойчивости к ним. Использование инжекторов импульсных помех совместно с системой позиционирования ICT 1 позволяет проводить испытания в автоматическом режиме.

Характеристики
Комплект для измерений ЭМС-характеристик интегральных микросхем (ИС) ICE1 set

ICE1 set— комплект для измерений ЭМС-характеристик интегральных микросхем (ИС) во время предварительных испытаний на устойчивость к излучаемым и кондуктивным помехам на этапе разработки от компании Langer EMV-Technik. Инженер-разработчик может использовать этот комплект непосредственно на своем рабочем месте и в процессе создания устройства, локализовывать и дифференцировать неустойчивые области и компоненты микросхемы во время ее функционирования.

Характеристики
Набор MP Scope set для измерения ЭМС
Характеристики
Набор для калибровки генератора электростатического разряда MP
Характеристики
Набор для создания поля электростатического разряда MP
Характеристики
Набор пробников поля RFS
Характеристики
Программное обеспечение ChipScan-Scanner
Характеристики
Система сканирования FLS 106 PCB
Характеристики
Набор демонстрационной платы ЭМС D10
Характеристики
Набор экранирующей камеры (тента) Z23-2
Характеристики
Набор экранирующей камеры (тента) Z23-1
Характеристики
Эквивалент сети NNB set (LISN) 21
Характеристики
Набор трансформатора тока HFW 21
Характеристики
Программное обеспечение ChipScan-ESA software
Характеристики
Набор ESA1/CS-ESA для измерения помехоэмиссии
Характеристики